单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）7.7A（Ta）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 100A，10V21 毫欧 @ 5.8A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V47 nC @ 10 V153 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26.7 pF @ 25 V1570 pF @ 15 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）1.9W（Ta），13W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN2020M-6SOT-23-3（TO-236）TO-220-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
446,660
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220-3
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
1,549
现货
1 : ¥36.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.2V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
151
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），13W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。