单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V25 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)210mA(Ta)680mA(Ta)1.3A(Ta)1.7A(Ta)1.9A(Ta)2.5A(Ta)2.6A(Ta)2.7A(Ta)4.2A(Ta)8.8A(Ta)11.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 18.3A,10V20 毫欧 @ 8.8A,10V40 毫欧 @ 2.6A,4.5V45 毫欧 @ 4.2A,10V60 毫欧 @ 2.2A,10V98 毫欧 @ 2.5A,10V100 毫欧 @ 1.7A,10V115 毫欧 @ 2.6A,10V122 毫欧 @ 2.7A,10V130 毫欧 @ 2.6A,10V180 毫欧 @ 1.3A,10V450 毫欧 @ 500mA,4.5V5 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.82 nC @ 10 V1.3 nC @ 5 V1.9 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V7.2 nC @ 10 V9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V17 nC @ 4.5 V19 nC @ 4.5 V19.2 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22 pF @ 25 V50 pF @ 10 V73 pF @ 25 V150 pF @ 15 V227 pF @ 10 V235 pF @ 10 V315 pF @ 15 V370 pF @ 15 V400 pF @ 15 V460 pF @ 10 V793 pF @ 15 V1138 pF @ 6 V1845 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)310mW(Ta),455mW(Tc)340mW(Ta)350mW(Ta)500mW(Ta)1W(Ta)1.08W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236ABTSMT3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8SC-96TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
198,704
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59365
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
680mA(Ta)
2.7V,4.5V
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
69,005
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.6A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
84,476
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.3A(Ta)
4.5V,10V
180 毫欧 @ 1.3A,10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3403
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,703
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
2.5V,10V
115 毫欧 @ 2.6A,10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
315 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
107,223
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06410
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN357N
MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
onsemi
16,084
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39307
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.9A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 2.2A,10V
2V @ 250µA
5.9 nC @ 5 V
±20V
235 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
16,872
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13159
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.8A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 8.8A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,190
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.22763
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.7A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 18.3A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Diodes Incorporated
67,174
现货
456,000
工厂
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27391
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
210mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
340mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3409
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
16,163
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68275
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 2.6A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMP3160L-7
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
6,795
现货
174,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92546
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
122 毫欧 @ 2.7A,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
227 pF @ 10 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
onsemi
24,090
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00441
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Ta)
6V,10V
100 毫欧 @ 1.7A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV50EPEAR
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,059
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01139
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),455mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSMT3
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,895
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.92599
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.5A(Ta)
4V,10V
98 毫欧 @ 2.5A,10V
-
5.4 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
ONSCATCAT809MTBI-GT3
FDN352AP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Fairchild Semiconductor
55,628
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.3A(Ta)
4.5V,10V
180 毫欧 @ 1.3A,10V
2.5V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±25V
150 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。