单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）900mA（Ta）3.5A（Ta）5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 5.3A，10V55 毫欧 @ 2.4A，4.5V460 毫欧 @ 200mA，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.25V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V73 pF @ 25 V528 pF @ 15 V1000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）400mW510mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3TO-236ABUSM
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV48XP,215
MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,504
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.25V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
510mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
33,825
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.09380
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
77,634
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33605
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5,124
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57107
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。