单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)200mA(Ta)330mA(Ta)350mA(Ta)450mA(Ta)530mA(Ta)590mA(Ta)600mA(Ta)660mA(Ta)700mA(Ta)760mA(Tj)830mA(Ta)915mA(Ta)6.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 6.9A,4.5V20 毫欧 @ 8.8A,10V230 毫欧 @ 600mA,4.5V250 毫欧 @ 400mA,10V340 毫欧 @ 600mA,4.5V360 毫欧 @ 350mA,4.5V420 毫欧 @ 500mA,4.5V480 毫欧 @ 780mA,4.5V495 毫欧 @ 400mA,4.5V500 毫欧 @ 830mA,4.5V760 毫欧 @ 400mA,4.5V1.2 欧姆 @ 100mA,2.5V1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(典型值)900mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.2 nC @ 4 V1.4 nC @ 4.5 V1.54 nC @ 8 V1.82 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 8 V3.1 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 10 V25 pF @ 10 V43 pF @ 10 V45 pF @ 10 V50 pF @ 10 V80 pF @ 10 V100 pF @ 10 V110 pF @ 16 V135 pF @ 10 V151 pF @ 10 V156 pF @ 5 V160 pF @ 10 V170 pF @ 16 V1136 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)190mW(Ta)220mW(Ta)240mW(Ta)300mW(Ta)300mW(Tj)301mW(Tj)310mW(Ta)500mW(Ta)550mW(Ta),6.25W(Tc)625mW(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICEMT3F(SOT-416FL)SC-59-3SC-75,SOT-416SC-89-3SOT-23-3SOT-523SOT-523 扁平引线SOT-723SSMVMT3
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SC-75,SOT-416SC-89,SOT-490SOT-523SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,344,616
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19539
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA,2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
281,225
现货
900,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66248
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
590mA(Ta)
1.8V,4.5V
495 毫欧 @ 400mA,4.5V
700mV @ 250µA(典型值)
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SC-89-3_463C
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
onsemi
126,203
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
915mA(Ta)
1.5V,4.5V
230 毫欧 @ 600mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
149,789
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61450
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
105,398
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64179
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
420 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
16,984
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13159
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.8A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 8.8A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
461,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
235,280
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VMT3
SOT-723
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,597
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38482
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89,SOT-490
SOT-23-3
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
6,740
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
21,369
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78571
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
1.5V,4.5V
19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±12V
1136 pF @ 10 V
-
550mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SC-59-3
DMP3030SN-7
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Diodes Incorporated
102,373
现货
1,395,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
700mA(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 400mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-89-3_463C
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Vishay Siliconix
63,756
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68992
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
450mA(Ta)
4.5V
760 毫欧 @ 400mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
45 pF @ 10 V
-
190mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
FDY102PZ
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
onsemi
51,728
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
830mA(Ta)
1.5V,4.5V
500 毫欧 @ 830mA,4.5V
1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±8V
135 pF @ 10 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
49,085
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.33043
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
600mA(Ta)
1.8V,4.5V
340 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
151 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89,SOT-490
PowerTrench Series SC-89-3
FDY100PZ
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
onsemi
16,832
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
100 pF @ 10 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
37
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.83711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。