单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.5A（Ta）6.8A（Ta）7.7A（Ta）8A（Ta）8.9A（Ta）9A（Ta）12A（Ta）15A（Tc）48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V3.3V，10V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 9A，10V9.7 毫欧 @ 15A，4.5V11.6 毫欧 @ 4A，10V14.5 毫欧 @ 9A，10V16 毫欧 @ 10A，10V16 毫欧 @ 8A，4.5V19 毫欧 @ 4.5A，4.5V19.5 毫欧 @ 4A，10V25 毫欧 @ 5A，10V160 毫欧 @ 1.5A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 100µA2.4V @ 200µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 5 V4.8 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20.6 nC @ 10 V24 nC @ 10 V27 nC @ 8 V36 nC @ 4.5 V53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V230 pF @ 10 V620 pF @ 15 V840 pF @ 10 V864 pF @ 30 V1110 pF @ 20 V1172 pF @ 15 V1304 pF @ 15 V2040 pF @ 20 V2195 pF @ 15 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）630mW（Ta）700mW（Ta）820mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.7W（Ta），12.5W（Tc）2.03W（Ta）2.5W（Ta）69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFN（2x2）6-UDFNB（2x2）8-SOP Advance（5x5）DFN2020MD-6POWERDI3333-8SOT-23-3TSMT3U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
PMPB13XNE,115
MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
13,276
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Ta）
1.8V，4.5V
16 毫欧 @ 8A，4.5V
900mV @ 250µA
36 nC @ 4.5 V
±12V
2195 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
9,094
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88026
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 15A，4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
463,083
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19994
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB11EN,115
MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
83,395
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01503
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 9A，10V
2V @ 250µA
20.6 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMN3020UFDF-7
MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Diodes Incorporated
6,145
现货
576,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10723
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Tc）
1.5V，4.5V
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
1V @ 250µA
27 nC @ 8 V
±12V
1304 pF @ 15 V
-
2.03W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
16,901
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22233
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11.6 毫欧 @ 4A，10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMT6016LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Diodes Incorporated
9,793
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.9A（Ta）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,864
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.76880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TSMT3
RQ5E015RPTL
MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
7,311
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96465
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4V，10V
160 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 1mA
3.2 nC @ 5 V
±20V
230 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
6-UDFN
NVLUS4C12NTAG
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
onsemi
0
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.8A（Ta）
3.3V，10V
9 毫欧 @ 9A，10V
2.1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 15 V
-
630mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
491
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
620 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。