单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.52 毫欧 @ 30A，10V9.9 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1042 pF @ 25 V1150 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
42W（Tc）66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
Texas Instruments
36,607
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.82897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
10,517
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.69919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
7V，10V
4.52 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 14µA
18 nC @ 10 V
±20V
1042 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。