单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）180mA（Ta）360mA（Ta）4.2A（Ta）8.8A（Ta），42A（Tc）11A（Ta），40A（Tc）12A（Ta）13.5A（Ta），40A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 14A，10V8.6 毫欧 @ 20A，10V15 毫欧 @ 7A，10V16 毫欧 @ 33A，10V20 毫欧 @ 11A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V2 欧姆 @ 270mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 115mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.5V @ 100µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.1V @ 105µA3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V24 nC @ 5 V25 nC @ 10 V50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V57.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V23 pF @ 25 V45.8 pF @ 25 V808 pF @ 15 V1700 pF @ 50 V1715 pF @ 15 V1870 pF @ 15 V3234 pF @ 15 V4785 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
220mW（Ta），1.06W（Tc）320mW（Ta）370mW（Ta）1.4W（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）3.5W（Ta），27.8W（Tc）50W（Tc）52W（Ta）60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PDFN（3.1x3.1）PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-323TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002A-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
179,966
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
180mA（Ta）
5V，10V
6 欧姆 @ 115mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
135,567
现货
2,990,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
11,627
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.60597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
42,578
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.66418
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
64A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 14A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PDFN（3.1x3.1）
8-PowerWDFN
TO-252AA
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
onsemi
8,043
现货
25,000
工厂
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.95581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
52W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Infineon Technologies
22,425
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.07391
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.8A（Ta），42A（Tc）
6V，10V
16 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 50 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT-323
NX7002AKW,115
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Nexperia USA Inc.
95,846
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
220mW（Ta），1.06W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
132,645
现货
165,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
360mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 270mA，10V
1.5V @ 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
2,610
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00275
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），27.8W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。