单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）10.8A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 10A，10V10 毫欧 @ 50A，10V132 毫欧 @ 3.8A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.2V @ 23µA2.6V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V45 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V515 pF @ 50 V3500 pF @ 30 V5250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），3.1W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）27.8W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-883
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
42,766
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.25153
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
6,145
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PowerPak® SO-8
SQJA76EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
75A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.76732
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10.8A（Tc）
4.5V，10V
132 毫欧 @ 3.8A，10V
2.6V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
515 pF @ 50 V
-
27.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。