单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
EPCInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyRenesas Electronics CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™SIPMOS®ThunderFET®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V125 V150 V200 V500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13mA(Tj)21mA(Ta)170mA(Ta)1.6A(Tc)6.5A(Ta),40A(Tc)8.5A(Ta),45A(Tc)13A(Ta)14A(Ta)18.6A(Tc)20A(Ta)24A(Tc)32A(Ta)35A(Tc)35.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V4.5V,10V5V7.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,5V11.5 毫欧 @ 20A,10V16 毫欧 @ 28A,10V19.6 毫欧 @ 45A,10V22 毫欧 @ 52A,10V22 毫欧 @ 14A,5V26.5 毫欧 @ 20A,10V31.9 毫欧 @ 10A,10V35 毫欧 @ 35A,10V50mOhm @ 22A,10V60 毫欧 @ 10A,10V64 毫欧 @ 6.5A,10V85 毫欧 @ 10A,10V345 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 50µA2.4V @ 43µA2.5V @ 2mA2.5V @ 6mA2.7V @ 8µA3V @ 250µA4V @ 137µA4V @ 250µA4V @ 300µA4V @ 42µA4V @ 60µA4V @ 90µA4.5V @ 250µA4.6V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1 nC @ 5 V2.8 nC @ 7 V4.1 nC @ 4.5 V5.9 nC @ 5 V11.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17.7 nC @ 5 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V23 nC @ 7.5 V23.1 nC @ 10 V30 nC @ 10 V34 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10 pF @ 25 V28 pF @ 25 V68 pF @ 25 V210 pF @ 30 V600 pF @ 100 V1100 pF @ 100 V1110 pF @ 100 V1200 pF @ 25 V1380 pF @ 100 V1410 pF @ 75 V1580 pF @ 100 V1600 pF @ 50 V1790 pF @ 100 V1820 pF @ 75 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW(Ta)1W(Ta),1.7W(Tc)1.6W(Ta),57W(Tc)52W(Tc)65W(Tc)78W(Tc)96W(Tc)104W(Tc)150W(Tc)214W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)PG-SOT23PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7PG-TSON-8-3PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)WPAK(3F)(5x6)模具
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

显示
/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
70,540
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
LND150K1-G
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Microchip Technology
37,134
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.03763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
13mA(Tj)
0V
1000 欧姆 @ 500µA,0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25,348
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Tc)
4.5V,10V
345 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
14,668
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82597
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.5A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
26.5 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
9,942
现货
1 : ¥19.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.82258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
14A(Ta)
5V
22 毫欧 @ 14A,5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V,-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
8-Power TDFN
BSC160N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Infineon Technologies
9,736
现货
1 : ¥19.62000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.51638
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
56A(Tc)
8V,10V
16 毫欧 @ 28A,10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
10,594
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.26590
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,839
现货
1 : ¥38.01000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.77012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
52A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 52A,10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
37,895
现货
1 : ¥52.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥27.79653
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
32A(Ta)
5V
8 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
+6V,-4V
1790 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,687
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21mA(Ta)
0V,10V
500 欧姆 @ 16mA,10V
2.7V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC196N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Infineon Technologies
47,451
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.83603
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
8.5A(Ta),45A(Tc)
10V
19.6 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 50 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,204
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.69964
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35.4A(Tc)
7.5V,10V
31.9 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Infineon Technologies
5,330
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.08885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
50mOhm @ 22A,10V
4V @ 60µA
15 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 100 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
22,350
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.72634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
13A(Ta)
10V
64 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 300µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W(Ta),57W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
3,000
现货
3,000 : ¥13.30651
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
20A(Ta)
10V
85 毫欧 @ 10A,10V
-
19 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
WPAK(3F)(5x6)
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.92749
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18.6A(Tc)
7.5V,10V
60 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
23 nC @ 7.5 V
±20V
1110 pF @ 100 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.43116
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
125 V
60A(Tc)
7.5V,10V
11.5 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1410 pF @ 75 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。