单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）500mA（Ta）750mA（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 60A，10V460 毫欧 @ 200mA，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA4.6V @ 264µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.44 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 10 V21 pF @ 5 V64.3 pF @ 25 V7800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），1.1W（Tc）450mW（Ta）690mW（Ta）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3-2SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
270,283
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51311
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Infineon Technologies
1,788
现货
1 : ¥61.66000
剪切带（CT）
1,000 : ¥34.98148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
120A（Tc）
8V，10V
4.8 毫欧 @ 60A，10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-323
NX3020NAKW,115
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
304,363
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26537
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
180mA（Ta）
2.5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
1.5V @ 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），1.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN3730U-7
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
Diodes Incorporated
93,988
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
750mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
450mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。