单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V55 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）2A（Ta）5.47A（Ta）6A（Tc）61.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 20A，10V28 毫欧 @ 5A，4.5V29 毫欧 @ 6A，10V80 毫欧 @ 2A，10V261 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 11µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V35 nC @ 8 V35.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 75 V434.7 pF @ 10 V500 pF @ 15 V1275 pF @ 6 V2067 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）740mW（Ta）1.2W（Ta），1.7W（Tc）1.5W（Ta）105W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-SOT23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,079
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10683
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Tc）
1.5V，4.5V
28 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
307,827
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03402
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3420U-7
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Diodes Incorporated
204,586
现货
2,169,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40265
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.47A（Ta）
1.8V，10V
29 毫欧 @ 6A，10V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
434.7 pF @ 10 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-55B,115
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,862
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.84941
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
61.8A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
35.2 nC @ 10 V
±20V
2067 pF @ 25 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
60
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.27765
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.6A（Ta）
6V，10V
261 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。