单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-FDmesh™MDmesh™ IIMDmesh™ V
漏源电压（Vdss）
200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）18A（Tc）29A（Tc）35A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 19.5A，10V100 毫欧 @ 11A，10V105 毫欧 @ 14.5A，10V360 毫欧 @ 5.5A，10V450 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.9V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V40 nC @ 10 V80 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 50 V900 pF @ 25 V1200 pF @ 50 V2722 pF @ 100 V3375 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
25W（Tc）100W（Tc）160W（Tc）210W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）-
供应商器件封装
TO-220TO-220ABTO-220FP
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
708
现货
1 : ¥62.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
35A（Tc）
10V
78 毫欧 @ 19.5A，10V
5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
16,938
现货
1 : ¥10.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 11A，10V
4.9V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 50 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220FP
STF13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,137
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 5.5A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP11NM60FD
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
STMicroelectronics
967
现货
1 : ¥41.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
900 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STMicroelectronics
279
现货
1 : ¥79.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
29A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±25V
2722 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。