单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）310mA（Ta）350mA（Ta）1A（Ta）2.3A（Ta）3.4A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
82 毫欧 @ 3A，10V110 毫欧 @ 9.6A，10V112 毫欧 @ 3.4A，10V254 毫欧 @ 900mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.25V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V32 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V50 pF @ 10 V81 pF @ 15 V470 pF @ 20 V650 pF @ 25 V1110 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta），1.3W（Tc）275mW（Ta）342mW（Ta）370mW（Ta）750mW（Ta）2W（Ta）57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
808,156
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
32,763
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47257
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.4A（Ta）
4.5V，10V
112 毫欧 @ 3.4A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro6™（TSOP-6）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
126,067
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Infineon Technologies
97,143
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.70771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
18A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
63,394
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
49,714
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
111,436
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47672
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
2.5V，4.5V
254 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.25V @ 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。