单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
50 V55 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)30A(Tc)61.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 20A,10V27 毫欧 @ 5A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V35.2 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V1306 pF @ 25 V2067 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)62W(Tc)105W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56,Power-SO8SOT-23-3
封装/外壳
SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
199,100
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48926
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
LFPAK33
BUK7M27-80EX
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
11,288
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.59421
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
30A(Tc)
10V
27 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1306 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-55B,115
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,862
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.84941
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
61.8A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
35.2 nC @ 10 V
±20V
2067 pF @ 25 V
-
105W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。