单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
770mA（Ta）900mA（Ta）1A（Ta）1.4A（Ta）1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 1.8A，4.5V235 毫欧 @ 800mA，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V450 毫欧 @ 300mA，4.5V470 毫欧 @ 900mA，4.5V495 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 10 V1.5 nC @ 8 V1.6 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 15 V55 pF @ 10 V56 pF @ 16 V76.5 pF @ 10 V93 pF @ 10 V127 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），5.43W（Tc）350mW（Ta），6.25W（Tc）360mW（Ta），3.125W（Tc）430mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
CST3DFN1006B-3SOT-883X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNSC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
1,512
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SC-101 SOT-883
PMZ130UNEYL
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
22,290
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.59859
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
1.5V，4.5V
150 毫欧 @ 1.8A，4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
93 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
3-XQFN
PMZB390UNEYL
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
27,706
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.48027
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.5V，4.5V
470 毫欧 @ 900mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
±8V
41 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），5.43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
185,869
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.43102
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
CST3
SC-101，SOT-883
3-XQFN
PMZB350UPE,315
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
14,682
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±8V
127 pF @ 10 V
-
360mW（Ta），3.125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D0UFB4-7R
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
2,800
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66248
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
770mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
1V @ 250µA
1.5 nC @ 8 V
±8V
76.5 pF @ 10 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。