单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）320mA（Ta）4.3A（Ta）5.8A（Ta）7A（Ta），18A（Tc）10A（Ta）10.5A（Ta）11A（Ta）11A（Ta），35A（Tc）12A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.4 毫欧 @ 10A，10V10.5毫欧 @ 11A，10V11 毫欧 @ 20A，10V12 毫欧 @ 11.5A，10V24 毫欧 @ 6.5A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V47 毫欧 @ 4.4A，10V50 毫欧 @ 6A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V20.6 nC @ 10 V22 nC @ 10 V26.7 nC @ 10 V35 nC @ 10 V51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 25 V386 pF @ 15 V642 pF @ 25 V840 pF @ 15 V890 pF @ 20 V1100 pF @ 15 V1281 pF @ 15 V1290 pF @ 50 V1300 pF @ 40 V2147 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）370mW（Ta）720mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）1.38W（Ta）1.9W（Ta），12.5W（Tc）2W（Ta）2.3W（Ta），41W（Tc）19W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-MLP（3.3x3.3）DFN2020MD-6PG-TSDSON-8-FLPOWERDI3333-8PowerDI3333-8（UX 类）PowerPAK® SC-70-6SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SC-70-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
369,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247,160
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
92,061
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 6A，10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
44,054
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
25,218
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.56261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 22µA
18.5 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,767
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.45042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 6.5A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-HSMT
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
82,759
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10.4 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP3018SFV-7
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
Diodes Incorporated
17,142
现货
134,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.48105
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
2147 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB08R6ENX
MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Nexperia USA Inc.
17,998
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07163
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
-
10.5毫欧 @ 11A，10V
2V @ 250µA
20.6 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,116,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMG7430LFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.88485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
26.7 nC @ 10 V
±20V
1281 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。