单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)115mA(Tc)280mA(Ta)300mA(Ta)300mA(Tc)320mA(Ta)2A(Ta)31A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.45 毫欧 @ 50A,10V80 毫欧 @ 2A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 500mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24.5 pF @ 20 V30 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V298 pF @ 15 V4000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)225mW(Ta)300mW(Ta)350mW(Ta)370mW(Ta)500mW(Ta)830mW(Ta)2.5W(Ta),96W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLSOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247,060
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29870
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
691,214
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,085
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
816,375
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
74,236
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98624
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,136
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13027
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-TDSON-8 FL
BSC014N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Infineon Technologies
65,702
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.51927
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
31A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.45 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
2BZX84C43
2N7002
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
25,711
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21636
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
77,303
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38482
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Vishay Siliconix
4,956
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 11

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。