单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 7A，10V102 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
779 pF @ 25 V931 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOLFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP3037LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Diodes Incorporated
5,371
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.12977
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 7A，10V
2.4V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
931 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y102-100B,115
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,473
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.71750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Tc）
10V
102 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
12.2 nC @ 10 V
±20V
779 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。