单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）8.5A（Ta）8.8A（Ta），19A（Tc）12A（Ta）13.4A（Ta），47.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 12A，10V9.3 毫欧 @ 12A，10V16 毫欧 @ 8.5A，10V21 毫欧 @ 10A，10V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.35V @ 25µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V8.7 nC @ 10 V13.2 nC @ 10 V62 nC @ 10 V62.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V600 pF @ 25 V697 pF @ 15 V2706 pF @ 15 V3200 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）1W（Ta）2W（Ta）2.1W（Ta）2.66W（Ta），33.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）8-HSMT（3.2x3）8-WDFN（3.3x3.3）POWERDI3333-8SOT-323
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
521,937
现货
8,823,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,246
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.37350
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 8.5A，10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
10,923
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.30411
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
8-WDFN
NTTFS015P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
onsemi
995
现货
547,500
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.52074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.4A（Ta），47.6A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
62.3 nC @ 10 V
±25V
2706 pF @ 15 V
-
2.66W（Ta），33.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-7
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
5
现货
16,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.09421
卷带（TR）
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。