单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）4.2A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
215 毫欧 @ 1A，8V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.2 V6.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
功率耗散（最大值）
400mW1W（Ta）
供应商器件封装
4-WLCSP（0.78x0.78）CST3B
封装/外壳
3-SMD，无引线4-XFBGA，WLCSP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
WLCSP4
PMCM4402UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
6,988
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
9,000 : ¥0.72873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Tj）
2.5V，4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C（TJ）
表面贴装型
4-WLCSP（0.78x0.78）
4-XFBGA，WLCSP
0
现货
查看交期
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.83942
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
215 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
CST3B
3-SMD，无引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。