单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Ta）8.2A（Tc）9.7A（Tc）14A（Ta），42A（Tc）50A（Tc）59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.4 毫欧 @ 14A，10V11.1 毫欧 @ 15A，10V15 毫欧 @ 17A，10V155 毫欧 @ 5A，10V250 毫欧 @ 6.8A，10V160 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.08 nC @ 10 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V28.4 nC @ 10 V40 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.8 pF @ 25 V450 pF @ 25 V1685 pF @ 30 V2850 pF @ 30 V4950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
610mW（Ta）1.7W（Ta），20.8W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3W（Ta），136W（Tc）42W（Tc）89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）LFPAK56，Power-SO8PG-TO252-3SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Infineon Technologies
10,312
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.02883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.7A（Tc）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 6.8A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P06-15L-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Vishay Siliconix
28,225
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
4950 pF @ 25 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS127SSN-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Diodes Incorporated
3,639
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50mA（Ta）
5V，10V
160 欧姆 @ 16mA，10V
4.5V @ 250µA
1.08 nC @ 10 V
±20V
21.8 pF @ 25 V
-
610mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252
SUD08P06-155L-BE3
MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Vishay Siliconix
2,615
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.2A（Tc）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.7W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN012-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,969
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.81833
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
59A（Tc）
10V
11.1 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
28.4 nC @ 10 V
±20V
1685 pF @ 30 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-PQFN
FDMS86520
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
onsemi
19,370
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），42A（Tc）
8V，10V
7.4 毫欧 @ 14A，10V
4.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。