单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technologyonsemi
包装
剪切带（CT）卷带（TR）散装袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V120 V350 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA（Tj）180mA（Tj）200mA（Ta）200mA（Tc）200mA（Tj）230mA（Ta）230mA（Tj）400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2.5V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 375mA，10V15 欧姆 @ 300mA，10V1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 1mA-
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V100 pF @ 25 V125 pF @ 25 V300 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）400mW（Ta），1W（Tc）625mW（Ta）700mW（Ta）740mW（Ta）1W（Ta）1W（Tc）
供应商器件封装
TO-92TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
45,082
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
6,932
现货
1 : ¥4.93000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
28,147
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tc）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS270
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
onsemi
3,895
现货
1 : ¥3.78000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
3,443
现货
1 : ¥4.10000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Tj）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G-P003
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,004
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.02281
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92
ZVP2110A
MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,575
现货
28,000
工厂
1 : ¥6.98000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
230mA（Ta）
10V
8 欧姆 @ 375mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2635N3-G
MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Microchip Technology
346
现货
1 : ¥16.42000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
180mA（Tj）
2.5V，10V
15 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 1mA
±20V
300 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN1206L-G
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Microchip Technology
946
现货
1 : ¥17.73000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
230mA（Tj）
2.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
±30V
125 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。