单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）260mA（Ta）2.5A（Ta）4.6A（Tc）55A（Ta），365A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V2.5V，4.5V4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.68 毫欧 @ 46A，10V67 毫欧 @ 2.5A，4.5V75 毫欧 @ 3A，10V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V2.5 欧姆 @ 240mA，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 2mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V1.4 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V+16V，-12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V25 pF @ 25 V40 pF @ 25 V115 pF @ 10 V270 pF @ 10 V620 pF @ 20 V8600 pF @ 13 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）300mW（Ta）430mW（Ta）800mW（Ta）2.5W（Tc）3.2W（Ta），139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）EMT3F（SOT-416FL）SOT-23-3（TO-236）TUMT3X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线3-UFDFN8-PowerTDFN，5 引线SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,265,208
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
100,060
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TUMT3
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Rohm Semiconductor
22,385
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
451,227
现货
100,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20525
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
EMT3F
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,247
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,812
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
onsemi
1,386
现货
3,000
工厂
1 : ¥28.08000
剪切带（CT）
1,500 : ¥14.50431
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
55A（Ta），365A（Tc）
4.5V，10V
0.68 毫欧 @ 46A，10V
2V @ 2mA
52 nC @ 4.5 V
+16V，-12V
8600 pF @ 13 V
-
3.2W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。