单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
770mA（Ta）900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V670 毫欧 @ 770mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4 V5.5 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30.3 pF @ 15 V73 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta），2.8W（Tc）400mW
供应商器件封装
DFN0606-3SOT-23-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
77,634
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33605
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN0606-3
PMH550UNEH
MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
31,365
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40212
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
770mA（Ta）
1.5V，4.5V
670 毫欧 @ 770mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.4 nC @ 4 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。