单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VITrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）500mA（Ta）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 40A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V50 pF @ 10 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）690mW（Ta）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
840,181
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STMicroelectronics
39,707
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.10989
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
5V，10V
4 毫欧 @ 40A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
28,469
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。