单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-AlphaMOSNexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）14A（Ta），44A（Tc）20A（Ta），50A（Tc）24A（Tc）28A（Ta），50A（Tc）30A（Ta），50A（Tc）45A（Ta），75A（Tc）48A（Ta），50A（Tc）56A（Ta），220A（Tc）70A（Tc）135A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V3V，8V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.25 毫欧 @ 20A，10V1.35 毫欧 @ 20A，10V1.8 毫欧 @ 20A，10V3.8 毫欧 @ 20A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V5 毫欧 @ 20A，4.5V6 毫欧 @ 11.5A，10V6.8 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 20A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.44 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V38 nC @ 10 V64.2 nC @ 10 V100 nC @ 4.5 V105 nC @ 10 V114 nC @ 10 V127 nC @ 10 V140 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 10 V700 pF @ 15 V825 pF @ 15 V1871 pF @ 40 V2826 pF @ 15 V3775 pF @ 15 V4175 pF @ 15 V4500 pF @ 15 V4550 pF @ 10 V5626 pF @ 10 V6060 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta），1.06W（Tc）1.5W2.7W（Ta）2.8W（Ta）4.1W（Ta），24W（Tc）4.1W（Ta），46W（Tc）6.2W（Ta），83.3W（Tc）6.2W（Ta），83W（Tc）6.3W（Ta），83W（Tc）119W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）POWERDI3333-8PowerDI5060-8TO-236AB
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN-EP
AON7423
MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
80,134
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.12389
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
28A（Ta），50A（Tc）
1.5V，4.5V
5 毫欧 @ 20A，4.5V
900mV @ 250µA
100 nC @ 4.5 V
±8V
5626 pF @ 10 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,329
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMP34M4SPS-13
MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
4,396
现货
827,500
工厂
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73835
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
135A（Tc）
5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
127 nC @ 10 V
±25V
3775 pF @ 15 V
-
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-DFN-EP
AON7280
MOSFET N-CH 80V 20A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,578
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.61395
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
20A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
8.5 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1871 pF @ 40 V
-
6.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-236AB
NX3020NAK,215
MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
97,519
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22002
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
2.5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
1.5V @ 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
300mW（Ta），1.06W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AON7421
AON7421
MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
123,380
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.32497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
30A（Ta），50A（Tc）
2.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
114 nC @ 10 V
±12V
4550 pF @ 10 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
7,548
现货
54,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.61860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-DFN
AONS32302
MOSFET N-CH 30V 56A/220A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,822
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.07464
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
56A（Ta），220A（Tc）
4.5V，10V
1.35 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
6060 pF @ 15 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.18408
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
825 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8-DFN-EP
AONR34332C
MOSFET N-CH 30V 48A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.82563
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
48A（Ta），50A（Tc）
2.5V，10V
1.8 毫欧 @ 20A，10V
1.2V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±12V
4175 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AON7510
MOSFET N-CH 30V 45A/75A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,000 : ¥4.59530
卷带（TR）
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Ta），75A（Tc）
4.5V，10V
1.25 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。