单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)270mA(Ta)4.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41毫欧 @ 3A,10V4.2 欧姆 @ 190mA,10V6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 30 V60 pF @ 25 V1160 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)340mW(Ta),2.3W(Tc)780mW(Ta),12.5W(Tc)
供应商器件封装
9-WLCSP(1.48x1.48)SOT-323SOT-883
封装/外壳
9-XFBGA,WLCSPSC-101,SOT-883SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
233,520
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SC-101 SOT-883
NX138AKMYL
NX138AKM/SOT883/XQFN3
Nexperia USA Inc.
34,604
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.20525
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
270mA(Ta)
2.5V,10V
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
340mW(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
9-WLCSP
PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.8A(Ta)
4.5V,10V
41毫欧 @ 3A,10V
1.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 30 V
-
780mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
9-WLCSP(1.48x1.48)
9-XFBGA,WLCSP
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。