单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta)4.5A(Ta)8,1A(Ta),30A(Tc)18A(Tc)30A(Tc)40A(Tc)80A(Tc)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 100A,10V3.29 毫欧 @ 40A,10V7.4 毫欧 @ 20A,10V10 毫欧 @ 20A,10V14 毫欧 @ 20A,10V20 毫欧 @ 5A,10V24 毫欧 @ 15A,10V42 毫欧 @ 9A,10V60 毫欧 @ 4.5A,10V6 欧姆 @ 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 13µA2V @ 10µA2V @ 15µA2V @ 18µA2V @ 30µA2.2V @ 15µA2.2V @ 8µA2.3V @ 15µA3.8V @ 230µA3.8V @ 27µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V5.6 nC @ 5 V8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V24.2 nC @ 10 V25 nC @ 10 V187 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20.9 pF @ 25 V470 pF @ 50 V610 pF @ 40 V657 pF @ 25 V832 pF @ 50 V920 pF @ 25 V1078 pF @ 40 V1515 pF @ 25 V1591 pF @ 40 V13178 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)2W(Ta)3.1W(Ta),42W(Tc)30W(Tc)34W(Tc)45.5W(Tc)50W(Tc)56W(Tc)68W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)PG-HDSOP-16-2PG-SOT23PG-TDSON-8PG-TDSON-8-33PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-32PG-TSOP6-6
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN16-PowerSOP 模块SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,953
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.29 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
19,730
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
TDSON833
IAUZ30N10S5L240ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,014
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.79546
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 15µA
14 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 50 V
-
45.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
5,003
现货
1 : ¥54.18000
剪切带(CT)
1,800 : ¥28.00218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 230µA
187 nC @ 10 V
±20V
13178 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
226,031
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.45904
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-WDFN
NTTFS6H860NLTAG
MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
onsemi
5,687
现货
12,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.28194
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
8,1A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 30µA
12 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 40 V
-
3.1W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TDSON833
IAUZ18N10S5L420ATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Infineon Technologies
1,989
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.19934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 9A,10V
2.2V @ 8µA
8 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 50 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-53
IAUC40N08S5L140ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Infineon Technologies
4,244
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.29744
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 15µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1078 pF @ 40 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
6,060
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.33873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 27µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1591 pF @ 40 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
790
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 4.5A,10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。