单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）1.1A（Ta）3.5A（Ta）61A（Tc）85A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 13A，10V11.3 毫欧 @ 15A，10V12 毫欧 @ 25A，10V42 毫欧 @ 3A，10V385 毫欧 @ 1.1A，10V6 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2V @ 1mA2.6V @ 1mA2.7V @ 250µA3.4V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V23 nC @ 10 V35 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V60 pF @ 25 V190 pF @ 50 V281 pF @ 10 V1368 pF @ 30 V2670 pF @ 50 V5067 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）300mW（Ta）500mW（Ta）580mW（Ta）3.2W（Ta），96W（Tc）91W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）LFPAK33LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669SC-70，SOT-323SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
151,002
现货
11,262,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
271,663
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
65,823
现货
717,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54644
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-Power TDFN
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
32,957
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
9.4 毫欧 @ 13A，10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
15,493
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.1A，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 50 V
-
580mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK33
PSMN011-60MSX
MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,899
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.50635
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
61A（Tc）
10V
11.3 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1368 pF @ 30 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-100EX
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,700
现货
1 : ¥14.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.01019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
85A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
68 nC @ 10 V
±20V
5067 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。