单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）4.4A（Ta）5.7A（Ta）5.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 5.7A，4.5V32 毫欧 @ 4A，4.5V65 毫欧 @ 3A，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.8 nC @ 4.5 V18.6 nC @ 4.5 V36 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V475 pF @ 50 V1150 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）510mW（Ta），6.94W（Tc）1W（Ta），1.7W（Tc）1.1W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-236ABU-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
519,072
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,534
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70205
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Tc）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
27,740
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89399
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
1.8V，4.5V
23 毫欧 @ 5.7A，4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Diodes Incorporated
3,054
现货
3,573,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80575
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
115 V
4.4A（Ta）
1.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3A，4.5V
1.4V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
475 pF @ 50 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。