单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ CETrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta）18.6A（Ta），70.6A（Tc）23.8A（Ta），80.3A（Tc）58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 15A，10V6.5 毫欧 @ 10A，10V7.5 毫欧 @ 16A，10V280 毫欧 @ 4.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32.6 nC @ 10 V48 nC @ 10 V66 nC @ 10 V77 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
773 pF @ 100 V1980 pF @ 30 V2930 pF @ 40 V3540 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
4.6W（Ta），46W（Tc）5W（Ta），57W（Tc）5W（Ta），71.4W（Tc）119W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-3PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
3,832
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23.8A（Ta），80.3A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Single
SIR880BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
5,513
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
18.6A（Ta），70.6A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
2930 pF @ 40 V
-
5W（Ta），71.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Infineon Technologies
5,000
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.65088
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
13A（Ta）
13V
280 毫欧 @ 4.2A，13V
3.5V @ 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,485
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.11872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
58A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 16A，10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
4.6W（Ta），46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。