单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIHEXFET®QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）23A（Tc）33A（Tc）33.5A（Tc）36A（Tc）38A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）55A（Tc）57A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 40A，10V20 毫欧 @ 42A，10V23 毫欧 @ 28A，10V26 毫欧 @ 29A，10V29.5 毫欧 @ 18A，10V44 毫欧 @ 16A，10V44 毫欧 @ 18A，10V60 毫欧 @ 16.75A，10V60 毫欧 @ 24A，10V60 毫欧 @ 38A，10V117 毫欧 @ 14A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V61 nC @ 10 V71 nC @ 10 V74 nC @ 5 V110 nC @ 10 V130 nC @ 10 V140 nC @ 5 V180 nC @ 10 V230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V1450 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1960 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V2780 pF @ 25 V2910 pF @ 25 V3100 pF @ 10 V3130 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V4369 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.8W（Ta），56W（Tc）3.1W（Ta），110W（Tc）3.1W（Ta），170W（Tc）3.75W（Ta），155W（Tc）3.8W（Ta），140W（Tc）3.8W（Ta），200W（Tc）120W（Tc）130W（Tc）170W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDPAKSOT-23-3TO-220ABTO-263TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,535
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
9,450
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
800 : ¥6.64328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
2,479
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
800 : ¥8.76171
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
40,053
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
800 : ¥8.79999
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
36A（Tc）
4V，10V
44 毫欧 @ 18A，10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STMicroelectronics
13,195
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.97671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 40A，10V
4.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4369 pF @ 50 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,440
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
8,124
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
800 : ¥12.42841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2910STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Infineon Technologies
7,706
现货
1 : ¥26.76000
剪切带（CT）
800 : ¥16.18184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
55A（Tc）
4V，10V
26 毫欧 @ 29A，10V
2V @ 250µA
140 nC @ 5 V
±16V
3700 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,114
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
800 : ¥8.54281
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2,724
现货
1 : ¥17.82000
剪切带（CT）
800 : ¥9.94659
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
29.5 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 1mA
54 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FQB34P10TM
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥23.15000
剪切带（CT）
800 : ¥13.99936
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.5A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 16.75A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
2910 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），155W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRF5210STRL
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥50.33000
剪切带（CT）
800 : ¥31.71653
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。