单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.onsemiUMW
系列
-UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）11.5A（Ta），152A（Tc）13A（Ta），40A（Tc）90A（Tc）92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.35 毫欧 @ 20A，10V4.9 毫欧 @ 30A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 20A，10V107 毫欧 @ 8A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.95V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.3 nC @ 10 V23 nC @ 10 V41 nC @ 10 V68 nC @ 10 V136 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 25 V1502 pF @ 15 V1920 pF @ 30 V1963 pF @ 15 V6460 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），375W（Tc）6.2W（Ta），60W（Tc）38W（Tc）67W（Tc）105W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8TO-220TO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
95,002
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29231
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
onsemi
38,074
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.37618
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Tc）
5V
107 毫欧 @ 8A，5V
3V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220
AOT2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,283
现货
1 : ¥32.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
11.5A（Ta），152A（Tc）
6V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
2.1W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R1-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,250
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥1.82871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
92A（Tc）
4.5V，10V
4.35 毫欧 @ 20A，10V
1.95V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1502 pF @ 15 V
-
67W（Tc）
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
100N03A
100N03A
TO-252 MOSFETS ROHS
UMW
2,451
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.98385
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1963 pF @ 15 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。