单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™ CFD7A
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 35.8A，10V62 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4.5V @ 1.79mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 5 V145 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 10 V7149 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
950mW（Ta）305W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW65R035CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,201
现货
1 : ¥88.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
63A（Tc）
10V
35 毫欧 @ 35.8A，10V
4.5V @ 1.79mA
145 nC @ 10 V
±20V
7149 pF @ 400 V
-
305W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TSMT6_TSMT6 Pkg
RSQ035N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
1,382
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80616
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4V，10V
62 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 1mA
7.4 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 10 V
-
950mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。