单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）20A（Ta），100A（Tc）27A（Ta），100A（Tc）125A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 50A，10V3.4 毫欧 @ 50A，10V4.5 毫欧 @ 25A，10V240 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.3V @ 115µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V28 nC @ 10 V46 nC @ 4.5 V152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 20 V1900 pF @ 20 V6500 pF @ 50 V8327 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta），6.25W（Tc）3W（Ta），79W（Tc）156W（Tc）238.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Infineon Technologies
19,083
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.18815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
3W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV250EPEAR
MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
26,364
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68032
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 1.3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 20 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y7R0-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
Nexperia USA Inc.
2,589
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.64475
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
125A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
152 nC @ 10 V
±10V
8327 pF @ 25 V
-
238.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8-Power TDFN
BSC0802LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Infineon Technologies
5,450
现货
1 : ¥25.94000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.12076
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 115µA
46 nC @ 4.5 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。