单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）37A（Tc）220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V15V，18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 15A，18V145 毫欧 @ 7.5A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4.3V @ 5mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 18 V85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1191 pF @ 325 V2600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）139W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-
安装类型
-表面贴装型
供应商器件封装
-D2PAK-7PowerPAK® SO-8
封装/外壳
-PowerPAK® SO-8TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,192
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.27271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
13A（Tc）
4.5V，10V
145 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
BUK7J1R0-40HX
BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
2,901
现货
1 : ¥28.82000
剪切带（CT）
1,500 : ¥14.88033
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
220A（Tc）
-
-
-
-
+20V，-10V
-
-
-
-
汽车级
AEC-Q101
-
-
-
D2PAK-7
NVBG075N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
onsemi
3,153
现货
1 : ¥95.07000
剪切带（CT）
800 : ¥65.62538
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
37A（Tc）
15V，18V
85 毫欧 @ 15A，18V
4.3V @ 5mA
59 nC @ 18 V
-
1191 pF @ 325 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。