单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 欧姆 @ 220mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V46 pF @ 15 V50 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
225,001
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
365,394
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
126,000
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35472
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
230mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。