单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V60 V75 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)3A(Ta)30A(Tc)52A(Tc)60A(Tc)100A(Tc)112A(Tc)120A(Tc)180A(Tc)195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 75A,10V4.7 毫欧 @ 106A,10V6.25 毫欧 @ 10A,10V7.5 毫欧 @ 100A,10V7.6 毫欧 @ 56A,10V7.8 毫欧 @ 78A,10V9 毫欧 @ 30A,10V22 毫欧 @ 52A,10V75 毫欧 @ 3A,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.2V @ 13µA2.5V @ 250µA4V @ 137µA4V @ 140µA4V @ 250µA4V @ 270µA4.5V @ 250µA4.6V @ 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V20 nC @ 10 V43 nC @ 10 V61 nC @ 10 V75 nC @ 10 V93 nC @ 10 V176 nC @ 10 V215 nC @ 10 V240 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V180 pF @ 20 V1520 pF @ 15 V2830 pF @ 30 V3680 pF @ 100 V4700 pF @ 75 V5470 pF @ 75 V5600 pF @ 25 V6450 pF @ 25 V9575 pF @ 50 V14000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)615mW(Ta),7.5W(Tc)3.8W(Ta),200W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)42W(Tc)188W(Tc)214W(Tc)300W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO252-3-11PG-TO262-3PG-TSON-8-3PowerPAK® SO-8SOT-323TO-236ABTO-262
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
36,995
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
615mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,614,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
PowerPAK SO-8
SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,528
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.20036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
10V
6.25 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2830 pF @ 30 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Infineon Technologies
311
现货
1 : ¥27.75000
剪切带(CT)
800 : ¥9.70194
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
100A(Tc)
10V
7.8 毫欧 @ 78A,10V
4V @ 250µA
250 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,824
现货
1 : ¥38.01000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.77012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
52A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 52A,10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
25,951
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73590
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 13µA
20 nC @ 10 V
±16V
1520 pF @ 15 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
AUIRFSL6535 back
IPI075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Infineon Technologies
991
现货
1 : ¥45.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
100A(Tc)
8V,10V
7.5 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
5470 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-262-3
IRFSL4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Infineon Technologies
2,683
现货
1 : ¥29.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 106A,10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
524
现货
1 : ¥42.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
112A(Tc)
8V,10V
7.6 毫欧 @ 56A,10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
AUIRFSL6535 back
IPI120N04S401AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Infineon Technologies
235
现货
1 : ¥28.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 140µA
176 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 25 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-262-3
AUIRF2804L
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Infineon Technologies
960
现货
1 : ¥84.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
195A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
6450 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。