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FET、MOSFET 阵列
结果 : 11
制造商
系列
包装
产品状态
配置
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
供应商器件封装
库存选项
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11结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24 现货 | 1 : ¥1,907.47000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 6 N-沟道（3 相桥） | - | 1200V（1.2kV） | 51A | 27.9 毫欧 @ 30A，15V | 3，6V @ 17，7mA | 162nC @ 15V | 4900pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
 | 74 现货 | 1 : ¥4,476.89000 散装 | 散装 | 不适用于新设计 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 193A（Tc） | 16 毫欧 @ 120A，20V | 2.6V @ 6mA（典型值） | 378nC @ 20V | 6470pF @ 800V | 925W | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | 模块 | ||
 | 2 现货 | 1 : ¥6,343.06000 散装 | 散装 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 450A | 4.2 毫欧 @ 425A，15V | 3.6V @ 115mA | 1135nC @ 15V | 30.7nF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
 | 9 现货 | 1 : ¥4,814.89000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 4 N 沟道（全桥） | - | 1200V（1.2kV） | 400A（Tj） | 2.27 毫欧 @ 400A，18V | 5.15V @ 224mA | 1600nC @ 18V | 48400pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | AG-EASY3B | ||
 | 0 现货 查看交期 | 1 : ¥5,722.64000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 N-通道（双） | - | 1200V（1.2kV） | 395A（Tc） | 5.3毫欧 @ 400A，15V | 3.6V @ 92mA | 908nC @ 15V | 2450pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | |
 | 8 现货 | 1 : ¥15,037.90000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 600A（Tc） | - | 5.6V @ 182mA | - | 31000pF @ 10V | 2450W（Tc） | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | 模块 | |
 | 20 市场 | 1 : ¥8,924.06000 盒 | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 475A | 4.4 毫欧 @ 475A，20V | 4.5V @ 160mA | 1248nC @ 18V | 29300pF @ 600V | 1250W | -55°C ~ 150°C（Tc） | 底座安装 | 模块 | 模块 | ||
 | 1 现货 | 1 : ¥8,402.90000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | - | - | 1200V（1.2kV） | 200A | - | - | - | - | - | - | 底座安装 | 模块 | AG-HYBRIDD-2 | ||
 | 0 现货 查看交期 | 1 : ¥9,225.77000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 450A（Tc） | 3.7 毫欧 @ 450A，15V | 3.6V @ 132mA | 1330nC @ 15V | 38000pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | |
 | 1 现货 | 1 : ¥4,653.48000 盒 | - | 盒 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 1200V（1.2kV） | 228A（Tc） | 10.4 毫欧 @ 175A，15V | 3.6V @ 43mA | 422nC @ 15V | 12900pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | |
 | 0 现货 | 10 : ¥2,620.30700 托盘 | 托盘 | 停产 | 碳化硅（SiC） | 6 N-沟道（3 相桥） | - | 1200V（1.2kV） | 29.5A（Tc） | 98 毫欧 @ 20A，20V | 2.2V @ 1mA（典型值） | 61.5nC @ 20V | 900pF @ 800V | 167W | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | 模块 |
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