单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ IINexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V80 V100 V150 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）1.6A（Ta）4A（Ta）5A（Tc）7.6A（Ta）15A（Ta）18.8A（Ta），81A（Tc）49A（Tc）100A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V6.1 毫欧 @ 15A，10V9.4 毫欧 @ 13A，10V11.7 毫欧 @ 25A，10V16.5 毫欧 @ 10A，10V31 毫欧 @ 4A，4.5V59 毫欧 @ 5A，10V261 毫欧 @ 1.6A，10V480 毫欧 @ 1.1A，10V900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA（最小）3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 22µA3.8V @ 250µA3.8V @ 275µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 10 V5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15.8 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V35 nC @ 10 V41 nC @ 10 V110 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 75 V332 pF @ 10 V363 pF @ 50 V454 pF @ 50 V1300 pF @ 40 V1357 pF @ 10 V2670 pF @ 50 V4870 pF @ 50 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）1.5W（Ta）1.9W（Ta）2.1W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.8W（Ta），23W（Tc）3.2W（Ta），96W（Tc）5.4W（Ta），100W（Tc）45W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-26TO-251（IPAK）
封装/外壳
8-PowerSMD，鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
14,997
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78422
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
9,342
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.38702
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.6A（Ta）
6V，10V
261 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6,003
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.64488
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
49A（Tc）
6V，10V
11.7 毫欧 @ 25A，10V
3.8V @ 22µA
18 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
32,977
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
9.4 毫欧 @ 13A，10V
3.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR104LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Vishay Siliconix
12,551
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62979
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18.8A（Ta），81A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 50 V
-
5.4W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7852DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,475
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.90310
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA（最小）
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5,244
现货
1 : ¥50.41000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.05847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
8,463
现货
1,656,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
25,947
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54106
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.4A（Tc）
6V，10V
480 毫欧 @ 1.1A，10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
332 pF @ 10 V
-
2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
I-Pak
STU7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
STMicroelectronics
2,923
现货
1 : ¥17.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
5A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
363 pF @ 50 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。