单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V45 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.6A（Ta）7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V190 毫欧 @ 1.6A，4.5V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V150 pF @ 10 V2945 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）800mW1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23-3（TO-236）TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
66,514
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.38341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XPEZ
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
18,694
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27216
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.2A（Ta）
1.8V，4.5V
23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2945 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TUMT3
RTF016N05FRATL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Rohm Semiconductor
11,029
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
1.6A（Ta）
-
190 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.5V @ 1mA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 10 V
-
800mW
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。