单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
720mA(Ta)29A(Tc)40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 15A,10V11 毫欧 @ 20A,10V850 毫欧 @ 720mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3.8V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.92 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28 pF @ 30 V1300 pF @ 40 V6000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
420mW(Ta),4.2W(Tc)3.5W(Ta),7.8W(Tc)50W(Tc)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-SOICDFN1110D-3PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
25,218
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.56261
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
6V,10V
11 毫欧 @ 20A,10V
3.8V @ 22µA
18.5 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Vishay Siliconix
84,220
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.69278
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
195 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
3-XFDFN Exposed Pad
2N7002KQBZ
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
30,135
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.52096
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
720mA(Ta)
4.5V,10V
850 毫欧 @ 720mA, 10V
2.6V @ 250µA
0.92 nC @ 10 V
±16V
28 pF @ 30 V
-
420mW(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
DFN1110D-3
3-XDFN 裸露焊盘
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。