单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Ta)2A(Ta)7.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V2.5V,4V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 7.5A,4.5V117 毫欧 @ 1A,10V1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.15 nC @ 5 V15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21 pF @ 5 V280 pF @ 15 V930 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
460mW(Ta),12.5W(Tc)500mW(Ta)690mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23-3(TO-236)UFM
封装/外壳
3-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
16,773
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89044
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4V,10V
117 毫欧 @ 1A,10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
280 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
27,082
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.51742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XNEAX
MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,890
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86203
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.5A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 7.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
930 pF @ 10 V
-
460mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。