单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）46A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.55 毫欧 @ 25A，10V27 毫欧 @ 25A，10V42 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.7 nC @ 10 V33 nC @ 5 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
281 pF @ 10 V4044 pF @ 15 V4360 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）157W（Tc）179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKLFPAK56，Power-SO8SOT-323
封装/外壳
SC-100，SOT-669SC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
64,488
现货
666,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54643
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
D2PAK SOT404
BUK9629-100B,118
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,785
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
800 : ¥7.29713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
46A（Tc）
5V，10V
27 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 1mA
33 nC @ 5 V
±15V
4360 pF @ 25 V
-
157W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,904
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.50157
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1.55 毫欧 @ 25A，10V
1.95V @ 1mA
65 nC @ 10 V
±20V
4044 pF @ 15 V
-
179W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。