单 FET,MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™ CEHEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
55 V60 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A(Tc)42A(Tc)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 毫欧 @ 90A,10V20 毫欧 @ 42A,10V500 毫欧 @ 2.3A,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 93µA3.5V @ 200µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.7 nC @ 10 V79 nC @ 4.5 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
433 pF @ 100 V3500 pF @ 25 V13000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
57W(Tc)167W(Tc)170W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
D2PAKPG-TO252-3PG-TO263-3
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Infineon Technologies
38,634
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.96883
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
7.6A(Tc)
13V
500 毫欧 @ 2.3A,13V
3.5V @ 200µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
433 pF @ 100 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
5,734
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
800 : ¥12.42841
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,062
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.73832
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
90A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 93µA
79 nC @ 4.5 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。