单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTorex Semiconductor LtdVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ G7OptiMOS™ 5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）5.9A（Tc）13.4A（Ta），47.6A（Tc）31A（Ta），279A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 100A，10V9.3 毫欧 @ 12A，10V32 毫欧 @ 4A，4.5V50 毫欧 @ 15.9A，10V250 毫欧 @ 500mA，10V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 210µA4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V36 nC @ 8 V62.3 nC @ 10 V68 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V180 pF @ 20 V2670 pF @ 400 V2706 pF @ 15 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）400mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）2.66W（Ta），33.8W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）PG-HDSOP-10-1PG-HDSOP-16-2SOT-23SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-PowerWDFN10-PowerSOP 模块16-PowerSOP 模块SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
522,061
现货
8,886,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,529
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70205
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.9A（Tc）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
23,550
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81633
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
400mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Infineon Technologies
4,599
现货
1 : ¥50.74000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.23685
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），279A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
160 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Infineon Technologies
3,235
现货
1 : ¥72.82000
剪切带（CT）
1,700 : ¥41.30725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
47A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
8-WDFN
NTTFS015P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
onsemi
995
现货
547,500
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.52074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.4A（Ta），47.6A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
62.3 nC @ 10 V
±25V
2706 pF @ 15 V
-
2.66W（Ta），33.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。