单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）2.2A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 8A，10V290 毫欧 @ 1.2A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V620 pF @ 40 V1594 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）3W（Tc）8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
90,047
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
295,205
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.78768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
290 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
62,683
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.35917
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
12A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 8A，10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。