单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）53A（Ta），362A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 4.5 V149 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2175 pF @ 10 V9400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）3.9W（Ta），179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN，5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C406NLT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
1,500 : ¥19.64585
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
53A（Ta），362A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 280µA
149 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 20 V
-
3.9W（Ta），179W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNEZ
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
17,534
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09951
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.8V，4.5V
14 毫欧 @ 9A，4.5V
900mV @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2175 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。