单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
MDmesh™ IISIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
500 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90mA（Ta）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 8.5A，10V45 欧姆 @ 90mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 94µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
131 pF @ 25 V1330 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT89TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-243AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-89 Pkg
BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Infineon Technologies
4,520
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.99400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
90mA（Ta）
4.5V，10V
45 欧姆 @ 90mA，10V
2.3V @ 94µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
131 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
D2Pak
STB23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥38.59000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.93094
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
17A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1330 pF @ 50 V
-
125W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。