单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
EPCLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®eGaN®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V150 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）1.7A（Ta）2.8A（Ta），9.4A（Tc）3.4A（Ta）47A（Ta），100A（Tc）50A（Ta）51.1A（Ta），185.6A（Tc）120A（Tj）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.99 毫欧 @ 36A，10V1.06 欧姆 @ 20A，10V4.8 毫欧 @ 25A，10V14.5 毫欧 @ 10A，10V45 毫欧 @ 1A，5V90 毫欧 @ 3.4A，10V134 毫欧 @ 2.8A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V380 欧姆 @ 20mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 800µA2.7V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250mA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V5.9 nC @ 10 V9 nC @ 10 V21 nC @ 10 V72 nC @ 10 V206 nC @ 10 V278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±15V+16V，-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V30 pF @ 25 V115 pF @ 30 V345 pF @ 75 V525 pF @ 75 V1680 pF @ 50 V3450 pF @ 15 V14400 pF @ 50 V14765 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）400mW（Ta）2.3W（Ta），26W（Tc）2.3W（Ta），36W（Tc）2.8W（Ta），83W（Tc）3.3W（Ta），125W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）405W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 110°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-PQFN（5x6）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）D2PAKPower33PowerPAK® 1212-8SSOT-23SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8STO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
497,758
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD19537Q3
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
4,315
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8 POWER WDFN
FDMC86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
onsemi
8,415
现货
18,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.15386
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.8A（Ta），9.4A（Tc）
6V，10V
134 毫欧 @ 2.8A，10V
4V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
eGaN Series
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
EPC
20,326
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
60 V
1.7A（Ta）
5V
45 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 800µA
1.15 nC @ 5 V
+6V，-4V
115 pF @ 30 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,872
现货
1 : ¥33.74000
剪切带（CT）
800 : ¥20.35078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tj）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8-PQFN TOP
FDMS7650DC
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
onsemi
10,776
现货
21,000
工厂
1 : ¥44.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥21.70867
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.99 毫欧 @ 36A，10V
2.7V @ 250µA
206 nC @ 10 V
±20V
14765 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
CPC3982TTR
MOSFET N-CH 800V SOT23
Littelfuse Inc.
4,969
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88464
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
-
0V
380 欧姆 @ 20mA，0V
-
-
±15V
20 pF @ 25 V
耗尽模式
400mW（Ta）
-55°C ~ 110°C（TA）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8S
SISS54DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
6,689
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.59682
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
51.1A（Ta），185.6A（Tc）
4.5V，10V
1.06 欧姆 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
+16V，-12V
3450 pF @ 15 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
Power33
FDMC86248
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
onsemi
14,850
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.27862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3.4A（Ta）
6V，10V
90 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250mA
9 nC @ 10 V
±20V
525 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。